Tranzystory z supercienkich nadprzewodników?

9 października 2008, 12:03

Naukowcy z Brookhaven National Laboratory stworzyli supercienkie nadprzewodniki, które w przyszłości mogą posłużyć do produkcji bardzo wydajnych podzespołów elektronicznych.



Wnętrze nanorurki

IBM ogłasza nanorurkowy przełom

29 października 2012, 09:30

Badacze z IBM-a poinformowali na łamach Nature o dokonaniu przełomu, który zbliża nas do pojawienia się na rynku układów scalonych wykorzystujących węglowe nanorurki (CNT). Inżynierowie z laboratorium w Nowym Jorku opracowali technologię umieszczania dużej liczby tranzystorów CNT na pojedynczym układzie scalonym


Lepsze tranzystory z nanokabli

6 stycznia 2010, 18:07

Jak wiemy, miniaturyzacja krzemowych tranzystorów ma swoje granice i współczesna technologia właśnie się do nich zbliża. Dlatego też poszukiwane są alternatywne sposoby na zapewnienie ciągłego rozwoju komputerów. Jednym z nich jest pomysł na wykorzystanie krzemowych nanokabli.


German zamiast krzemu

11 grudnia 2014, 11:47

Purdue University ma na swoim koncie ważne osiągnięcie w historii rozwoju półprzewodników. To właśnie naukowcy z tej uczelni dostarczyli w 1947 roku bardzo ważny element pierwszego tranzystora – półprzewodnik z oczyszczonego germanu. Teraz specjaliści z tej samej uczelni stworzyli pierwszy układ elektroniczny (CMOS), w którym krzem zastąpiono germanem.


Uzyskano działającą synapsę z nanorurek węglowych

22 kwietnia 2011, 10:10

Inżynierowie z Uniwersytetu Południowej Kalifornii uzyskali funkcjonującą synapsę z węglowych nanorurek. Rozwiązanie będzie można wykorzystać w protezach mózgowych lub po spięciu wielu takich synaps, do stworzenia syntetycznego mózgu.


Bliżej grafenowej elektroniki

19 listopada 2008, 12:08

Na Uniwersytecie Kalifornijskim w Los Angeles (UCLA) opracowano metodę pozyskiwania dużych płacht grafenu o niemal doskonałych właściwościach. Słowo "dużych" odnosi się oczywiście do skali nano, gdyż płachty te mają grubość 0,6 nanometra, a ich długość i szerokość wynoszą 20x40 mikrometrów.


Chiny gonią Zachód

27 grudnia 2012, 08:27

Instytut Mikroelektroniki Chińskiej Akademii Nauk poinformował o stworzeniu rodzimego 22-nanometrowego tranzystora MOSFET z metalową bramką i materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej. Chińczycy zapewniają, że urządzenie charakteryzuje się światowej klasy wydajnością.


Powstał 100-milimetrowy plaster grafenowy

25 stycznia 2010, 13:16

Naukowcy z Electro-Optics Center (EOC) Material Division na Pennsylvania State University stworzyli 100-milimetrowy plaster grafenowy. To niezwykle ważny krok w kierunku wykorzystania grafenu do budowy urządzeń elektronicznych.


Nadchodzi azotek galu

11 maja 2015, 12:46

Kalifornijska firma Efficient Power Conversion jest pierwszą, która zaoferowała tranzystory mocy wykonane z azotku galu w cenie niższej niż tranzystory z krzemu. To pierwszy przypadek, gdy urządzenie ma wysoką wydajność i jest tańsze niż jego krzemowy odpowiednik. Azotek galu przejął pałeczkę - mówi Alex Lidow, prezes firmy.


Przełączanie gorącego nadprzewodnika

7 lipca 2011, 10:53

Gorące nadprzewodniki można włączać i wyłączać w ciągu biliardowych części sekundy. Naukowcy z University of Oxford i Instytutu Maksa Plancka z Uniwersytetu w Hamburgu stworzyli ultraszybki przełącznik nadprzewodnikowy.


Zostań Patronem

Od 2006 roku popularyzujemy naukę. Chcemy się rozwijać i dostarczać naszym Czytelnikom jeszcze więcej atrakcyjnych treści wysokiej jakości. Dlatego postanowiliśmy poprosić o wsparcie. Zostań naszym Patronem i pomóż nam rozwijać KopalnięWiedzy.

Patronite

Patroni KopalniWiedzy