Problem z tranzystorami
26 maja 2009, 10:45Obowiązująca przez dziesiątki lat teoria dotycząca zakłóceń występujących w tranzystorach prawdopodobnie jest fałszywa. Może to oznaczać, że wkrótce nie będziemy w stanie produkować mniejszych i bardziej wydajnych układów scalonych dopóty, dopóki nie powstanie prawdziwa teoria wyjaśniająca szumy.
E-skóra lekka jak piórko
26 lipca 2013, 12:57Zespół z Uniwersytetu Tokijskiego zaprojektował ultralekką folię (3 g m−2) spełniającą funkcję czujnika. Wykonana z niej e-skóra mogłaby monitorować organizm czy pomagać w komunikacji przez dotyk.
Liczące banknoty
22 grudnia 2010, 16:58Współczesne banknoty mają dziesiątki zabezpieczeń przed ich fałszowaniem. Uczeni z Niemiec i Japonii zaprezentowali właśnie technikę, która umożliwi opracowanie całkowicie nowych sposobów zabezpieczania. Umieścili oni mianowicie układy logiczne na banknotach.
Badania w SOLARIS-ie przybliżają elektronikę przyszłości
13 listopada 2019, 11:40Polscy naukowcy budują podwaliny dla innowacyjnych rozwiązań w elektronice. Przeprowadzone przez nich badania nad nanodrutami półprzewodnikowymi to krok ku wysokowydajnym ogniwom słonecznym czy tranzystorom sterowanym polem magnetycznym.
W warstwach nadzieja
6 lutego 2012, 11:35Uczeni z University of Manchester wpadli na pomysł, który przybliża moment praktycznego wykorzystania grafenu do budowy komputerów. Grafen jest bardzo obiecującym materiałem, ale sprawia on spory kłopot, gdy... przewodzi elektrony zbyt dobrze. To powoduje, że dochodzi do olbrzymich wycieków prądu z grafenowych urządzeń.
Grafen - najlepszy z materiałów
14 stycznia 2008, 11:29Krzem wciąż pozostaje podstawowym materiałem używanym w elektronice i pomimo pojawiających się czasami głosów, iż jego czas dobiega końca, ciągły postęp technologiczny pozwala na znajdowanie kolejnych zastosowań dla tego materiału. Od pewnego czasu naukowcy zwracają coraz większą uwagę na grafen – dwuwymiarową strukturę atomów węgla ułożonych w heksagonalną sieć.
FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.
Chińska hybryda przyspiesza tranzystory
12 sierpnia 2013, 11:43Naukowcy z chińskiego Uniwersytetu Fudan opisali w magazynie Science technologię umożliwiającą przyspieszenie tranzystorów. Chińczycy wpadli na pomysł połączenia tranzysotrów MOSFET z tunelowymi tranzystorami polowymi (TFET). Taka hybryda ma zużywać mniej prądu, a przy tym pracować szybciej
Rewolucyjny hybrydowy układ pamięci
24 stycznia 2011, 11:59Uczeni stworzyli hybrydowe urządzenie, które może działać jak pamięć ulotna oraz nieulotna i być wykorzystywana w roli głównej pamięci komputera.
Zaskakujące zachowanie kwazicząstek w grafenowych supersieciach. Powstaną szybsze tranzystory?
1 grudnia 2020, 11:00Naukowcy z University of Manchester zauważyli, że w w grafenownych supersieciach znajdujących się pomiędzy dwoma warstwami azotku boru pojawia się nowa rodzina kwazicząstek. Odkrycie ma znaczenie dla badań nad fizyką materii skondensowanej i może prowadzić do stworzenia tranzystorów pracujących z wyższymi częstotliwościami.
